爱游戏-CGD新型ICeGaN GaN功率IC使数据中心、逆变器和工业开关电源的实现超高效率

[导读]采取新型热阻加强封装的P2系列表示出超高的电气机能，撑持具有挑战性的高功率利用，坚忍靠得住 英国剑桥 - 无晶圆厂环保科技半导体公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 开辟了一系列高能效氮化镓(GaN)功率器件，致力在打造更环保的电子器件。CGD 本日推出采取新奇的芯片和封装设计的、超低导通电阻(RDS(on)) ICeGaN™ GaN 功率 IC ，将 GaN 的优势供给给数据中间、逆变器、机电驱动器和其他工业电源等高功率利用。新型 ICeGaN™ P2系列 IC RDS(on)低至25 mΩ，撑持多kW功率利用，并供给超高效力。 ANDREA BRICCONI | CGD 首席商务官 “人工智能的爆炸性增加致使能源耗损的显著增添，促使数据中间系统设计师优先斟酌将 GaN 用在高功率、高效的功率解决方案。CGD这一新系列 GaN 功率 IC 撑持我们的客户和合作火伴在数据中间实现跨越100 kW/机架的功率密度，知足高密度计较的最新 TDP(热设计功率)趋向的要求。在机电节制逆变器方面，开辟人员正在利用 GaN 来削减热量，取得更小、更持久的系统功率。以上两个市场恰是CGD ICeGaN 功率 IC 此刻的方针市场。简化的栅极驱动器设计和下降的系统本钱，再加上进步前辈的高机能封装，使 P2 系列 IC 成为这些利用的绝佳选择。” ICeGaN 功率 IC 集成了米勒箝位以消弭高速开关进程中的击穿消耗，并实现了0V关断从而最年夜限度地削减反领导通消耗，其机能优在分立 eMode GaN 和其他现有手艺。新的封装供给了低至0.28 K/W的改良的热阻机能，与市场上任何其他产物比力具有相当或加倍优良的机能。其双面 DHDFN-9-1(双散热器 DFN)封装的双极引脚设计有助在优化 PCB 结构和简单并联以实现可扩大性，使客户可以或许轻松处置高达多kW的利用。颠末设计新型封装不但提高了产量，其侧边可湿焊盘手艺，更便在光学查抄。 用户此刻可申请 CGD 新型 P2 系列 ICeGaN 功率 IC 样品。该系列包罗四款 RDS(on) 产物为25 mΩ和55 mΩ，额定电流为60 A和27 A的产物。产物采取10 mm x 10 mm封装 DHDFN-9-1和 BHDFN-9-1(底部散热器DFN)封装。与所有CGD ICeGaN产物一样，P2系列可使用任何尺度 MOSFET 或 IGBT 驱动器进行驱动。 现有2款采取新型 P2 产物演示板可供展现：一款是 CGD 与法国公共研发机构 IFP Energies nouvelles 合作开辟的单相变三相汽车逆变器演示板;另外一款是3kW图腾柱功率因数校订演示板。 新型 P2 系列 ICeGaN™ 产物系列 GaN 功率 IC 和演示板将在2024年6月11日至13日在德国纽伦堡进行的 PCIM 展览上初次公然展现。CGD 的展位号为7-643。接待用户莅临参不雅和领会这些产物。

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